称心常识网网友提问：
中国研制出世界上首台用紫外光源实现了22纳米分辨率的光刻机，在世界上属于什么水平？
优质回答：
看了不少回答/感觉文不对题的太多/在此给大家普及下有关光刻机的一些常识:
首先，因特尔三星台电的光刻机均买自于荷兰ASML;
其次，他们均在aSmL持有股份(因特15%台电5%三星3%，目前台电已于2ol5年售出其全部股票/三星于2016售出其一半股份/因特也于2017年减持至5%);
综上两点台电三星们只是拥有目前最高端光刻机的优先使用权并不是占有核心技木(因为AMSL有将机器卖给别人的权力比如克强总理就为我们中芯要到了一台7nm光刻机预订2ol9年交付)
举个票子，就像一个数学公式，奥数竞赛的冠军可以熟练使用各种公式解题但并不是能说他用来解题的公式是他发明或创立的，同理为什么目前只有台电能量产7nm也一样，三星台电因特等厂商用的是amsl生产一模一样的光刻机，只能说明台电运用原产机器的思路超群，就像我们考试一样，面对同样的试题学霸可以用已知知识(如公式等)快递给出答案甚至有多种解法而学渣呢你就是告诉他公式他也一脸懵逼不可能得出正确答案。
其三，AMSL之前的光刻机首曝光为35nm，目前最先进的极紫EUⅤ首曝光为13.5nm，而目前鼓吹的7nm是多重曝光后的结果;
其四，中科院通过验收的光刻机是其七年技术攻关结果，不是美制裁中兴后才头脑一热灵机一动就研发成功了，说明国家在十几年前就在布局了不是媒体带路党所说的鼠目寸光只求市场不管技术，顺便说一下这台光刻机在2017年已经研制成功并试产过一些芯片了(不是原理机明白？相关信息可查阅中国科技报)今年是验收通过，再说三遍是验收/验收/验收;
最后，amsL的极紫EUV首曝光达13.5nm是其近三十年(AMSL创立于1964年前身为半导体设备代理商1984于飞利浦光刻设备研发小组合作1995上市开始跨越式发展2012年引入因特三星台电战略投资三家合占约23%的股份)的技术沉积结果/是AMSL光刻设备五代机，强调一下是目前世界最最先进的光刻五代机，而中科院的光刻机首曝光达22nm/是我们国产的光刻设备一代机，再重复一遍是一代机，技术孰优孰劣一目了然！
至于有些说什么实际量产10nm要N年以后(说跟amSl一样需要多少多少设备多少多少材料等等)的说法，我也是无语了，国产Sp与荷兰amSI是两种不同技术路线，就好像把大麦和水稻一样，虽然二者都可以做成馒头和米饭来解决人们的饥饿问题，但水稻并不需要像大麦一样收割打谷脱粒磨粉变为面粉然后加水和面加碱发酵然后塑形或条状或圆形再然后上锅蒸等诸多步骤，水稻只需要收割打谷脱粒两步变为大米就可以加水煮了如果再加上高压锅等设备就是在最后的出锅时间都能与馒头一较高下，除了以上步骤差异外再加上人力资源优势那边是十个人完成大麦从收割到上锅蒸十多项事务这边是一百人完成水稻两三项成为大米并上锅煮的事务，你说最终效果会怎样？只要不是瞎子或傻子都明白！！要不你以为我们求爷爷告奶奶二十多年了AMsL就是不买给我们(就是从台湾那里花几倍价钱买个落后二代的都要被人家警告一番)现在却突发善心均许中芯国际购买了？！
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你好，目前这台光刻机能生产最高制程的芯片是10nm，而国外商用的最新技术是能生产7nm的；另外，国产光刻机只能蚀刻4寸的晶圆。荷兰ASML的光刻机由于光源好，生产的晶圆尺寸能达到12寸，大的晶圆尺寸有利于批量生产降低单位成本。总的来说，这台国产光刻机和国外最新的技术还有差距，但是也已经很先进了，排进全球前五没问题。至于赶超，就只能寄希望于天才科学家的出现了，我们在研发新技术，别人也在研发，不是那么容易的。目前荷兰在这个领域有绝对的技术优势，美国日本尚且不能和他抗衡，何况我们。但是也不用灰心，就像坦克发动机一样，国产坦克发动机虽然落后德国MTU 30年，但已经是世界第二的水平了。
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这台光刻装备从商业上虽然还不能取代ASML的光刻机，但是在技术上的确是取得了不小的突破。
目前最先进的EUV光刻机可以做到7nm工艺，而国产光刻机单次曝光最高线宽分辨率可以达到22nm，结合多重曝光技术后，可以达到10nm工艺。当然，国产光刻机的水平并不是7nm和10nm的比较这么简单，我们也要了解一下它的局限和突破。
先说局限，目前这台光刻机只能加工1~4英寸的晶圆，而现在的晶圆厂很多都已经从12英寸晶圆起步，采用国产光刻机很难在商业上具有竞争力。即使是不考虑成本打算加工4英寸晶圆，很遗憾与之配套的设备目前都还没有跟上。
并且由于这台光刻机采用的是接触式光刻，一点点缺陷就会造成品质问题，所以只能做简单的线、点、光栅等部件，而对于生产芯片这件超级复杂的事情来说，目前还不可能，需要进一步的研发迭代。
再来说说突破，国产光刻机最大的突破在于没有重复走ASML的老路，而是另辟蹊径，采用了表面等离子体（SP）光刻技术，形成了一条全新的纳米光学光刻技术路线；同时具有完全自主知识产权，为超材料/超表面、第三代光学器件、广义芯片等变革性领域的跨越式发展提供了制造工具。
不仅如此，目前ASML的顶级EUV光刻机用的是13.5nm的极紫外光源，它的成本极高，一个就要3000万元人民币（还必须要在真空下使用），以至于荷兰ASML独家垄断的EUV光刻机创造了“一台卖一亿美金”的神话。
而国产光刻机采用的是传统的365nm汞灯做光源，一只费用仅为数万元，光刻机整机价格在百万元至千万元级别，成本大大降低，绝对是一个了不起的技术突破。
所以我们有理由乐观地期待，国产光刻机在进行若干次技术迭代后可以逐步赶上、甚至替代ASML的光刻机，作为国产芯片制造的核心装备。
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理论上讲，中国的的光刻机成熟了要比进口的更先进，即便是目前还不成熟也能进入世界高端了，排在前几名没问题。
这个光刻机，另辟蹊径很好的解决了光刻机衍射斑点问题。相对于其它公司可以用更大的波长，获得更小的衍射光斑。可以用近紫外光365的波长，达到其它公司深紫外光极，限到一百多纳米波长才能产生的效果。目前可以做到衍射在22纳米内不受影响，可以做到切割10纳米以下的线宽。也就是可以完成芯片10纳米的工艺.如果工艺再加完善，经验在丰富些。如果不考虑成本，用到国外的极限紫外光的超短波长，一定衍射更小距离，取得更极限光刻工艺……@力通科技一点通 @新华网 @今日头条 @中国网直播 @游画 @农民小姚 @制造原理 @电气知识
其他网友回答
很先进的水平，这个还没有大规模量产，到时候我们的芯片就解决了大问题了
以上内容就是小编分享的关于中国研制出世界上首台用紫外光源实现了22纳米分辨率的光刻机，在世界上属于什么水平？.jpg”/>
